碳化硅（SiC）是一种高性能的半导体材料，基于SiC的肖特基二极管（SiC Schottky Diode）具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性，可以在电力电子技术领域打破硅的极限，成为新能源及电力电子的器件。

　　碳化硅二极管主要用途有哪些

　　SiC二极管主要用在两个方面。，输入端PFC电路中，SiC二极管作为升压和整流二极管应用。第二，输出端AC-DC电路中，SiC二极管作为高频整流应用。由于车载OBC和充电桩输入电压不同，OBC是220V，充电桩是380V，OBC要求SiC二极管的电压等级是650V，充电桩要求SiC二极管的电压等级是1200V。电流从10A到几十安都有。

　　碳化硅二极管的优势是什么

　　1.宽禁带提高了工作温度和可靠性。宽禁带材料可提高器件的工作温度，6H-SiC和4H-SiC禁带宽度分别高达3.0eV和3.25eV，相应本征温度高达800℃以上;即便就是禁带最窄的3C-SiC，其禁带宽度也达到2.3eV左右。

　　2.高击穿场强提高了耐压，减小了尺寸。高的电子击穿场强带来了半导体功率器件击穿电压的提高。同时，由于电子击穿场强提高，在增加渗杂密度条件下，碳化硅功率器件漂移区的宽带可以降低，因此可减小功率器件的尺寸。

　　3.高热导率提高了功率密度。热导率指标越高，材料向环境中传导热的能力越强，器件的温升越小，越有利于提高功率器件的功率密度，同时更适合在高温环境下工作。

　　4.强的抗辐射能力，更适合在外太空环境中使用。在辐射环境下，碳化硅器件的抗中子辐射能力至少是硅的4倍，因此是制作耐高温、抗辐射的电力电子功率器件和大功率微波器件的优良材料。